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SDRAM

大容量SDRAM是高存储密度的动态数据存储器,由一个或多个SDRAM基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统

   产品特性


总容量:512M~4G;

访问速度:最快达7.5ns

数据宽度:8位,16位,32位,40位,48位;

电源电压:3.3V

典型产品辐照指标:

TID: 50kradSi

SEL: 80Mev·cm2/mg

SEU: 1Mev·cm2/mg

工作温度:-55~105℃。

 

 

   产品列表


#  SDRAM 存储容量(bit)  存储组织  电压  访问速度 抗辐射 封装  温度等级  筛选等级  质量等级 
TID 1 SEL 2 SEU 3
1 VDSD512M16xS54xx1V75 512M 32M*16 3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP54 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
2 VDSD1G16xS58xx2V75 1G 64M*16  3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP58 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
3 VDSD1G32xS70xx2V75 1G 32M*32 3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP70 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
4 VDSD1G32xS70xx2V75-Ⅱ 1G 32M*32 3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP70 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
5 VDSD2G08xS54xx4V75 2G 256M*8 3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP54 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
6 VDSD2G32xS70xx4V75 2G 64M*32 3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP70 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
7 VDSD2G40xS70xx5V75 2G 64M*40 3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP70 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
8 VDSD3G48xQ114xx6V75 3G 64M*48 3.3V  7.5ns >50 >80  1 QFP114 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
9 VDSD4G08xS54xx8V75 4G 512M*8 3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP54 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
10 VDSD4G08xS54xx8V75-Ⅱ 4G 512M*8 3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP54 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 
11 VDSD4G16xS62xx8V75 4G 256M*16 3.3V  7.5ns >50 >80  1 SOP62 E、I、S  E、B、S  EE、IB、SS 


1TID: Total DoseKrads(Si)

2SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

 

   相关下载


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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
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    暂无记录
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