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SRAM

大容量SRAM是高存储密度的静态数据存储器,由一个或多个SRAM基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。

 

   产品特性


总容量:4M~32M;

访问速度:最快达15ns

数据宽度:8位,16位,32位,40位;

电源电压:3.3V5V

典型产品辐照指标:

TID: 100 kradSi

SEL: 99.8 Mev·cm2/mg

SEU: 0.7 Mev·cm2/mg

工作温度:-55~125℃。

 

   产品列表

 

#  SRAM  存储容量(bit)  存储组织  电压  访问速度 抗辐射 封装  温度等级  筛选等级  质量等级 
TID 1) SEL 2) SEU 3)
1 VDSR4M08xS44xx1C12 4M 512k*8 5V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP44 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
2 VDSR4M08xS44xx1V12 4M 512k*8 3.0V 15 ns 50 80 0.7 SOP44 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
3 VDSR8M16xS54xx2C12 8M 256K*16 5V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP54 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
4 VDSR8M16xS54xx2V12 8M 256K*16 3.3V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP54 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
5 VDSR8M32xS64xx2V12 8M 256k*32 3.3V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP64 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
6 VDSR16M16xS54xx4C12 16M 1M*16 5V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP54 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
7 VDSR16M16xS54xx4V12 16M 1M*16 3.3V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP54 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
8 VDSR16M32xS64xx4C12 16M 512k*32 5V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP64 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
9 VDSR16M32xS64xx4V12 16M 512k*32 3.3V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP64 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
10 VDSR20M40xS84xx6V12 20M 512k*40 3.3V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP84 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
11 VDSR32M32xS68xx8V12-Ⅱ 32M 1M*32 3.3V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP68 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
12 VDSR32M32xS68xx8V12 32M 1M*32 3.3V 15 ns 100 99.8 0.7 SOP68 E,I,M,S E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 

1)TID: Total DoseKrads(Si)

2)SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3)SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

  

   相关下载

 

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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
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    暂无记录
  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
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