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DDR2

大容量DDR2是高速、高存储密度的同步动态随机访问数据存储器,由1个或多个DDR2基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。

   产品特性

 

总容量:1G~4G;

访问速度:最快达2.5ns

数据宽度:8位,72位;

电源电压:1.8V

典型产品辐照指标:

TID: 100 kradSi

SEL: 68 Mev·cm2/mg

SEU: 2.3 Mev·cm2/mg

工作温度:-55~105℃。

 

 

   产品列表

 

#  DDR2 存储容量(bit)  存储组织  电压  访问速度  抗辐射 封装  温度等级  筛选等级  质量等级 
TID 1 SEL 2 SEU 3
1 VD2D1G08xS74xx1U6 1G  128M*8  1.8V  2.5 ns 100 >68  2.3 SOP74  E、L、S  E、B、S  EE、IB、SS 
2 VD2D4G72xB191xx3U6 4G 64M*72  1.8V  2.5 ns 100 >68  2.3 BGA191 E、L、S  E、B、S  EE、IB、SS 
3 VD2D8G08RS88SS8U6 8G 1G*8 1.8V  2.5 ns 100 >68  2.3 SOP88 E、L、S  E、B、S  EE、IB、IS、SS 


1TID: Total DoseKrads(Si)

2SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

 

   相关下载

 

VD2D1G08xS74xx1U6 user manual.pdf 资料下载
VD2D4G72xx191xx3U6 user manual 资料下载
VD2D8G08RS88SS8U6 user manual.pdf 资料下载
立体封装模块自动回流焊装配规范.pdf 资料下载
立体封装模块手工装配工艺建议.pdf 资料下载
立体封装模块加固建议.pdf 资料下载
立体封装模块焊接后清洗建议.pdf 资料下载


4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
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    暂无记录
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